利用55nmBCD技术实现高性能SPAD

单光子雪崩二极管（SPAD）是各类应用需求量很大的器件，特别是在生物医学实践方面。以CMOS技术制备的SPAD凭借其低制造成本、可大规模量产以及与电路的单片集成能力等优势而备受关注。此外，随着“摩尔定律”等比例缩微，CMOS-SPAD的优势在像素分辨率、尺寸及功能等方面愈加突出。因此，诸多研究都在尝试开发基于先进CMOS技术的SPAD探测器。

据麦姆斯咨询报道，近日，韩国科学技术研究院（KIST）、瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）、延世大学（Yonsei University）和格罗方德半导体（GlobalFoundries）新加坡工厂的联合科研团队在IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics期刊上发表了以“SPAD Developed in 55 nm Bipolar-CMOS-DMOS Technology Achieving Near 90% Peak PDP”为主题的论文。该论文的第一作者为KIST和EPFL的Won-Yong Ha，通讯作者为EPFL的Edoardo Charbon、延世大学的Woo-Young Choi和KIST的Myung-Jae Lee。

(相关资料图)

这项研究报道了一种利用55 nm双极型CMOS-DMOS（BCD）技术实现的SPAD。为了在保持击穿电压（VB）小于20 V的情况下实现高性能，由p型轻掺杂漏极（PLDD）与高电压N阱（HVNW）层形成结。此外，SPAD上方的介电层被适当蚀刻，以减少多层反射。该SPAD在光子探测概率（PDP）、暗计数率（DCR）和时间抖动（Timing Jitter）等方面的性能出色，击穿电压低至16.1 V。

图1为两种SPAD结构的截面图，两种SPAD具有相同的器件结构，PLDD与HVNW层形成了直径9 μm的PN结，总直径达到14.4 μm，如图2所示。两层结构均是该技术的标准形式，其优势主要包括：（i）PLDD产生较少的注入引起的缺陷（implantation-induced defect），从而实现低噪声SPAD运行；（ii）HVNW利用PLDD层提供了适当的耗尽区，该区域足够宽，可以防止带间隧穿，但同时不过分宽，避免击穿电压显著增加。

图1 BCD-SPAD的横截面

图2 BCD-SPAD的掺杂浓度分布图谱

在击穿电压（VB）16 V、额外偏置电压（VE）7 V时，研究人员利用Okuto的雪崩击穿模型对SPAD进行了TCAD仿真，验证了SPAD的E场分布，仿真结果如图3至图6所示。

图3 利用TCAD仿真得到BCD-SPAD的电场分布图谱

图4 利用TCAD仿真得到BCD-SPAD的击穿概率分布图谱

图5 利用TCAD仿真得到无“峡谷”（canyon）BCD-SPAD的简化光线追踪结果

图6 利用TCAD仿真得到“峡谷”（canyon）BCD-SPAD的简化光线追踪结果

随后，研究人员对BCD-SPAD的I-V特性、光发射、PDP、DCR以及时间抖动进行了测试，结果如图7所示。

图7 BCD-SPAD相关性能测试

综上所述，这项研究开发并表征了一种利用55 nm BCD技术实现的高性能SPAD。利用BCD技术中的可用层，在低击穿电压（VB）下将SPAD结构优化为低噪声且高效率运行。为了提高其探测效率，研究人员使用“峡谷”（canyon）蚀刻来减少多层反射。当击穿电压（VB）为16.1 V，该SPAD在450 nm处峰值PDP为89.4%、DCR为38.2 cps/μm²；当额外偏置电压（VE）为7 V时，时间抖动为66 ps。研究结果表明，所提出的SPAD在多种生物医学应用领域具有巨大潜力。

这项研究获得了韩国科学技术研究院（KIST）合作项目（2E32242）的资助和支持。

论文链接：http://doi.org/10.1109/JSTQE.2023.3303678

关键词：